SUD50P10-43L-BE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 2.24 EUR |
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Technische Details SUD50P10-43L-BE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 113.6W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm.
Weitere Produktangebote SUD50P10-43L-BE3 nach Preis ab 2.26 EUR bis 7.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SUD50P10-43L-BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 1398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD50P10-43L-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO252 100V 37.1A P-CH MOSFET |
auf Bestellung 1977 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUD50P10-43L-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V |
auf Bestellung 3037 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUD50P10-43L-BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 113.6W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm |
auf Bestellung 1398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SUD50P10-43L-BE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.11 EUR |
| 500+ | 2.52 EUR |
| 1000+ | 2.51 EUR |
| SUD50P10-43L-BE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO252 100V 37.1A P-CH MOSFET
MOSFETs TO252 100V 37.1A P-CH MOSFET
auf Bestellung 1977 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.76 EUR |
| 10+ | 3.45 EUR |
| 100+ | 3.08 EUR |
| 500+ | 2.53 EUR |
| 1000+ | 2.45 EUR |
| 2000+ | 2.26 EUR |
| SUD50P10-43L-BE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
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Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
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Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
Description: MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 37.1A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
auf Bestellung 3037 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.02 EUR |
| 10+ | 4.57 EUR |
| 50+ | 3.52 EUR |
| 100+ | 3.18 EUR |
| 500+ | 2.58 EUR |
| SUD50P10-43L-BE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113.6W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113.6W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
auf Bestellung 1398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 32+ | 7.97 EUR |
| 60+ | 3.88 EUR |
| 100+ | 3.11 EUR |
| 500+ | 2.52 EUR |
| 1000+ | 2.51 EUR |