SUD50P10-43L-E3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2000+ | 2.11 EUR |
| 4000+ | 1.98 EUR |
| 6000+ | 1.96 EUR |
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Technische Details SUD50P10-43L-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.043 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 136W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm.
Weitere Produktangebote SUD50P10-43L-E3 nach Preis ab 2.4 EUR bis 8.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SUD50P10-43L-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V |
auf Bestellung 41950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUD50P10-43L-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.043 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 136W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm |
auf Bestellung 10465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD50P10-43L-E3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -37.1A; 95W Mounting: SMD Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 95W Gate charge: 160nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Drain current: -37.1A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -100V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 43mΩ |
auf Bestellung 819 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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SUD50P10-43L-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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SUD50P10-43L-E3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SUD50P10-43L-E3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
auf Bestellung 41950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.62 EUR |
| 10+ | 4.31 EUR |
| 100+ | 3 EUR |
| 500+ | 2.44 EUR |
| 1000+ | 2.4 EUR |
| SUD50P10-43L-E3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.043 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.043 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
auf Bestellung 10465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 8.15 EUR |
| 48+ | 4.91 EUR |
| 100+ | 3.21 EUR |
| 500+ | 2.95 EUR |
| 1000+ | 2.57 EUR |
| SUD50P10-43L-E3 |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -37.1A; 95W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 95W
Gate charge: 160nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -37.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 43mΩ
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -37.1A; 95W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 95W
Gate charge: 160nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -37.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 43mΩ
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SUD50P10-43L-E3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SUD50P10-43L-E3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)