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SUD50P10-43L-E3

SUD50P10-43L-E3 Vishay Siliconix

sud50p10.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
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Technische Details SUD50P10-43L-E3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUD50P10-43L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Weitere Produktangebote SUD50P10-43L-E3 nach Preis ab 2.15 EUR bis 16.19 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SUD50P10-43L-E3 SUD50P10-43L-E3 Hersteller : Vishay Semiconductors sud50p10.pdf MOSFETs 100V 37A 136W 43mohm @ 10V
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SUD50P10-43L-E3 SUD50P10-43L-E3 Hersteller : Vishay sud50p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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SUD50P10-43L-E3 SUD50P10-43L-E3 Hersteller : VISHAY sud50p10.pdf Description: VISHAY - SUD50P10-43L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SUD50P10-43L-E3 SUD50P10-43L-E3 Hersteller : Vishay sud50p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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SUD50P10-43L-E3 Hersteller : Vishay sud50p10.pdf Транз. Пол. БМ DPAK MOSFET P-channel 60 V; 50 A; 15mohm@17A, 10V Pmax=136 W
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SUD50P10-43L-E3 SUD50P10-43L-E3 Hersteller : Vishay sud50p10.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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SUD50P10-43L-E3 SUD50P10-43L-E3 Hersteller : VISHAY sud50p10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -37.1A; Idm: -40A; 95W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -37.1A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SUD50P10-43L-E3 SUD50P10-43L-E3 Hersteller : Vishay Siliconix sud50p10.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
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SUD50P10-43L-E3 SUD50P10-43L-E3 Hersteller : VISHAY sud50p10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -37.1A; Idm: -40A; 95W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -37.1A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
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