SUD50P10-43L-E3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 4.05 EUR |
| 10+ | 3.03 EUR |
| 100+ | 2.41 EUR |
| 250+ | 2.27 EUR |
| 500+ | 2.09 EUR |
| 1000+ | 1.92 EUR |
| 2000+ | 1.87 EUR |
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Technische Details SUD50P10-43L-E3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SUD50P10-43L-E3 nach Preis ab 2.48 EUR bis 16.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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SUD50P10-43L-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V |
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SUD50P10-43L-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
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SUD50P10-43L-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 6337 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD50P10-43L-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD50P10-43L-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SUD50P10-43L-E3 | Hersteller : Vishay |
Транз. Пол. БМ DPAK MOSFET P-channel 60 V; 50 A; 15mohm@17A, 10V Pmax=136 W |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD50P10-43L-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 9.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUD50P10-43L-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -37.1A; Idm: -40A; 95W Drain-source voltage: -100V Drain current: -37.1A On-state resistance: 43mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 95W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 160nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUD50P10-43L-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V |
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SUD50P10-43L-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -37.1A; Idm: -40A; 95W Drain-source voltage: -100V Drain current: -37.1A On-state resistance: 43mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 95W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 160nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -40A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 |
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