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| Anzahl | Preis |
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Technische Details SUD50P10-43L-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113.6W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SUD50P10-43L-GE3 nach Preis ab 1.69 EUR bis 4.59 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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SUD50P10-43L-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
 MOSFETs 100V 37A P-Channel |
auf Bestellung 17053 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUD50P10-43L-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V |
auf Bestellung 1677 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUD50P10-43L-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 113.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 1115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD50P10-43L-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 113.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 1115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD50P10-43L-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 36.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUD50P10-43L-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 36.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUD50P10-43L-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -36.4A; 72.7W Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -36.4A Pulsed drain current: -40A Gate charge: 160nC On-state resistance: 43mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 72.7W Kind of package: reel; tape Case: DPAK; TO252 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SUD50P10-43L-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V |
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SUD50P10-43L-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -36.4A; 72.7W Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -36.4A Pulsed drain current: -40A Gate charge: 160nC On-state resistance: 43mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 72.7W Kind of package: reel; tape Case: DPAK; TO252 |
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