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SUD70090E-GE3

SUD70090E-GE3 Vishay Siliconix

sud70090e.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
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Technische Details SUD70090E-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUD70090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 8900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).

Weitere Produktangebote SUD70090E-GE3 nach Preis ab 1.16 EUR bis 1.61 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
SUD70090E-GE3 SUD70090E-GE3 Vishay Siliconix sud70090e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
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SUD70090E-GE3 SUD70090E-GE3 Vishay Semiconductors sud70090e.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
auf Bestellung 19077 Stücke:
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SUD70090E-GE3 SUD70090E-GE3 VISHAY sud70090e.pdf Description: VISHAY - SUD70090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 8900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 1659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SUD70090E-GE3 SUD70090E-GE3 VISHAY sud70090e.pdf Description: VISHAY - SUD70090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 8900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 1659 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SUD70090E-GE3 sud70090e.pdf
SUD70090E-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
auf Bestellung 4214 Stücke:
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14+1.3 EUR
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Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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MOSFETs 100V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUD70090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 8900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUD70090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 8900 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
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