SUD90330E-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
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| Anzahl | Preis |
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| 2000+ | 0.92 EUR |
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Technische Details SUD90330E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUD90330E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35.8 A, 0.0312 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 35.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0312ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SUD90330E-GE3 nach Preis ab 1.03 EUR bis 3.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SUD90330E-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-252 |
auf Bestellung 23579 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUD90330E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V |
auf Bestellung 2570 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUD90330E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD90330E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35.8 A, 0.0312 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0312ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD90330E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUD90330E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35.8 A, 0.0312 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0312ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUD90330E-GE3 | Hersteller : Vishay |
N-Channel 200 V MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SUD90330E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SUD90330E-GE3 SMD N channel transistors |
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