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Technische Details SUG80050E-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SUG80050E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 5400 µohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SUG80050E-GE3 nach Preis ab 4.31 EUR bis 11.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SUG80050E-GE3 | Vishay Semiconductors |
 MOSFETs 150V Vds 20V Vgs TO-247 |
auf Bestellung 2390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUG80050E-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 75 V |
auf Bestellung 1622 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUG80050E-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SUG80050E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 5400 µohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SUG80050E-GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs TO-247
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs TO-247
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.92 EUR |
| 10+ | 7.19 EUR |
| 100+ | 5.18 EUR |
| 500+ | 4.33 EUR |
| SUG80050E-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 75 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 11.44 EUR |
| 10+ | 7.65 EUR |
| 100+ | 5.51 EUR |
| 500+ | 4.59 EUR |
| 1000+ | 4.31 EUR |
| SUG80050E-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUG80050E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 5400 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SUG80050E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 5400 µohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)