SUG90090E-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 100 V
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 7.48 EUR |
| 25+ | 4.72 EUR |
| 100+ | 3.9 EUR |
| 500+ | 3.23 EUR |
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Technische Details SUG90090E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUG90090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 100 A, 0.0079 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 395W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SUG90090E-GE3 nach Preis ab 4.05 EUR bis 7.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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SUG90090E-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 200V Vds ThunderFET 100A Id +/-20V Vgs |
auf Bestellung 824 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUG90090E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUG90090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 100 A, 0.0079 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUG90090E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SUG90090E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SUG90090E-GE3 THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |