SUM10250E-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 36.6A; 125W
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36.6A
Gate charge: 57.6nC
On-state resistance: 31mΩ
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK; TO263
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 656 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 20+ | 3.75 EUR |
| 26+ | 2.76 EUR |
| 28+ | 2.56 EUR |
| 50+ | 2.5 EUR |
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Technische Details SUM10250E-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SUM10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63.5 A, 0.0247 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0247ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SUM10250E-GE3 nach Preis ab 2.5 EUR bis 6.3 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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SUM10250E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 36.6A; 125W Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 36.6A Gate charge: 57.6nC On-state resistance: 31mΩ Power dissipation: 125W Gate-source voltage: ±20V Case: D2PAK; TO263 |
auf Bestellung 656 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM10250E-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 250V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) |
auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUM10250E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3002 pF @ 125 V |
auf Bestellung 784 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUM10250E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63.5 A, 0.0247 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0247ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1793 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM10250E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63.5 A, 0.0247 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0247ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1793 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM10250E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUM10250E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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SUM10250E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUM10250E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3002 pF @ 125 V |
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