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SUM10250E-GE3

SUM10250E-GE3 VISHAY


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC8907D61232143&compId=sum10250e.pdf?ci_sign=8716de75d40a1b99c0ebe327e13ea0f3880386e6 Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 36.6A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 673 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
16+4.62 EUR
27+2.75 EUR
28+2.60 EUR
50+2.56 EUR
100+2.50 EUR
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Technische Details SUM10250E-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SUM10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63.5 A, 0.0247 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0247ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SUM10250E-GE3 SUM10250E-GE3 Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC8907D61232143&compId=sum10250e.pdf?ci_sign=8716de75d40a1b99c0ebe327e13ea0f3880386e6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 250V; 36.6A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SUM10250E-GE3 SUM10250E-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sum10250e.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3002 pF @ 125 V
auf Bestellung 784 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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10+4.13 EUR
100+2.90 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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SUM10250E-GE3 SUM10250E-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sum10250e.pdf MOSFETs 250V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.44 EUR
10+4.24 EUR
100+2.99 EUR
500+2.94 EUR
800+2.83 EUR
2400+2.71 EUR
5600+2.60 EUR
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SUM10250E-GE3 SUM10250E-GE3 Hersteller : VISHAY 3006498.pdf Description: VISHAY - SUM10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63.5 A, 0.0247 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0247ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1793 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SUM10250E-GE3 SUM10250E-GE3 Hersteller : VISHAY 3006498.pdf Description: VISHAY - SUM10250E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 63.5 A, 0.0247 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0247ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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SUM10250E-GE3 SUM10250E-GE3 Hersteller : Vishay sum10250e.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 63.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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SUM10250E-GE3 SUM10250E-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sum10250e.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
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Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3002 pF @ 125 V
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