| Anzahl | Preis |
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| 800+ | 3.08 EUR |
| 1600+ | 2.96 EUR |
| 2400+ | 2.81 EUR |
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Technische Details SUM110P04-05-E3 Vishay
Description: VISHAY - SUM110P04-05-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 5000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SUM110P04-05-E3 nach Preis ab 2.81 EUR bis 8.61 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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SUM110P04-05-E3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 40V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM110P04-05-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUM110P04-05-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 110A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 15W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 20175 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUM110P04-05-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V 110A 375W |
auf Bestellung 7280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUM110P04-05-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM110P04-05-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 5000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM110P04-05-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM110P04-05-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 110 A, 5000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SUM110P04-05-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 110, Ciss, пФ @ Uds, В = 11300 @ 25, Qg, нКл = 280, Rds = 5 мОм, Ugs(th) = 4 В, Р, Вт = 375, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
verfügbar 5 Stücke: |
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| SUM110P04-05-E3 | Hersteller : Vishay |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUM110P04-05-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -33A; 375W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -33A Power dissipation: 375W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 280nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |