SUM40014M-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15780 pF @ 20 V
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Technische Details SUM40014M-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUM40014M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 990 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SUM40014M-GE3 nach Preis ab 2.68 EUR bis 8.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SUM40014M-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SUM40014M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 990 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2035 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM40014M-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO263 N-CH 40V 200A |
auf Bestellung 4445 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUM40014M-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15780 pF @ 20 V |
auf Bestellung 4466 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUM40014M-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SUM40014M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 990 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2035 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SUM40014M-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 200A |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SUM40014M-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUM40014M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 990 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SUM40014M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 990 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2035 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.86 EUR |
| 500+ | 2.83 EUR |
| 1000+ | 2.68 EUR |
| SUM40014M-GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO263 N-CH 40V 200A
MOSFETs TO263 N-CH 40V 200A
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.33 EUR |
| 10+ | 5.3 EUR |
| 100+ | 3.75 EUR |
| 500+ | 3.27 EUR |
| SUM40014M-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15780 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15780 pF @ 20 V
auf Bestellung 4466 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 8.04 EUR |
| 10+ | 5.32 EUR |
| 100+ | 3.76 EUR |
| SUM40014M-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUM40014M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 990 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 200A
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SUM40014M-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 990 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 200A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2035 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 8.7 EUR |
| 40+ | 5.91 EUR |
| 100+ | 3.86 EUR |
| 500+ | 2.83 EUR |
| 1000+ | 2.68 EUR |
| SUM40014M-GE3 |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 200A
Trans MOSFET N-CH 40V 200A
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 40+ | 4.43 EUR |
| 43+ | 3.77 EUR |
| 50+ | 3.59 EUR |