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SUM50010E-GE3

SUM50010E-GE3 Vishay Semiconductors

sum50010e.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds; 20V Vgs TO-263
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Technische Details SUM50010E-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO263, Packaging: Strip, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10895 pF @ 30 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SUM50010E-GE3 SUM50010E-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sum50010e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO263
Packaging: Strip
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10895 pF @ 30 V
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SUM50010E-GE3 SUM50010E-GE3 Hersteller : Vishay sum50010e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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SUM50010E-GE3 Hersteller : VISHAY sum50010e.pdf SUM50010E-GE3 SMD N channel transistors
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