| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.73 EUR |
| 10+ | 5.14 EUR |
| 100+ | 4.17 EUR |
| 500+ | 3.71 EUR |
| 800+ | 3.17 EUR |
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Technische Details SUM50010EL-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SUM50010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 1730 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1730µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote SUM50010EL-GE3 nach Preis ab 3.31 EUR bis 8.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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SUM50010EL-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V Vds 150A 375W 175C |
auf Bestellung 1101 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUM50010EL-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SUM50010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 1730 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1730µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 819 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SUM50010EL-GE3 |
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 60V Vds 150A 375W 175C
MOSFETs 60V Vds 150A 375W 175C
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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| 1+ | 8.62 EUR |
| 10+ | 5.67 EUR |
| 100+ | 4.17 EUR |
| 500+ | 3.71 EUR |
| 800+ | 3.31 EUR |
| SUM50010EL-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUM50010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 1730 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1730µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - SUM50010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 1730 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1730µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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