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SUM50020EL-GE3

SUM50020EL-GE3 Vishay / Siliconix

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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
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Technische Details SUM50020EL-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SUM50020EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
SUM50020EL-GE3 SUM50020EL-GE3 VISHAY VISH-S-A0001383419-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUM50020EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
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SUM50020EL-GE3 SUM50020EL-GE3 Vishay Siliconix sum50020el.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
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SUM50020EL-GE3
Hersteller: VISHAY
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
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SUM50020EL-GE3
Hersteller: VISHAY
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Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263
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