Weitere Produktangebote SUM65N20-30-E3 nach Preis ab 2.33 EUR bis 5.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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SUM65N20-30-E3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM65N20-30-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM65N20-30-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM65N20-30-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM65N20-30-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM65N20-30-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUM65N20-30-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 200V 65A 375W 30mohm @ 10V |
auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUM65N20-30-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUM65N20-30-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM65N20-30-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |