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SUM70060E-GE3


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Produktcode: 180235
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Transistoren > MOSFET N-CH

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SUM70060E-GE3 SUM70060E-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sum70060e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.45 EUR
1600+1.35 EUR
2400+1.29 EUR
4000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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SUM70060E-GE3 SUM70060E-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sum70060e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V
auf Bestellung 7663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4.28 EUR
10+2.76 EUR
100+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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SUM70060E-GE3 SUM70060E-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors sum70060e.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 8883 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.56 EUR
10+2.9 EUR
100+2.02 EUR
500+1.56 EUR
800+1.51 EUR
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SUM70060E-GE3 SUM70060E-GE3 Hersteller : Vishay sum70060e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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SUM70060E-GE3 SUM70060E-GE3 Hersteller : Vishay sum70060e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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SUM70060E-GE3 Hersteller : VISHAY sum70060e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 131A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 131A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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