Produkte > VISHAY SEMICONDUCTORS > SUM70060E-GE3
SUM70060E-GE3

SUM70060E-GE3 Vishay Semiconductors

sum70060e.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
auf Bestellung 11113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.87 EUR
10+2.9 EUR
100+2.06 EUR
800+1.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SUM70060E-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 100V 131A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V.

Weitere Produktangebote SUM70060E-GE3 nach Preis ab 2.1 EUR bis 4.7 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SUM70060E-GE3 SUM70060E-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sum70060e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V
auf Bestellung 554 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.7 EUR
10+3.05 EUR
100+2.1 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70060E-GE3
Produktcode: 180235
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

sum70060e.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70060E-GE3 SUM70060E-GE3 Hersteller : Vishay sum70060e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70060E-GE3 SUM70060E-GE3 Hersteller : Vishay sum70060e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70060E-GE3 SUM70060E-GE3 Hersteller : Vishay sum70060e.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70060E-GE3 Hersteller : VISHAY sum70060e.pdf SUM70060E-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70060E-GE3 SUM70060E-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sum70060e.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH