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| Anzahl | Preis |
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| 33+ | 4.58 EUR |
| 39+ | 3.73 EUR |
| 41+ | 3.40 EUR |
| 50+ | 3.24 EUR |
| 100+ | 2.58 EUR |
| 250+ | 2.45 EUR |
| 500+ | 1.88 EUR |
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Technische Details SUM90142E-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SUM90142E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SUM90142E-GE3 nach Preis ab 1.88 EUR bis 7.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SUM90142E-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 717 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUM90142E-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-263 |
auf Bestellung 22093 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUM90142E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 100 V |
auf Bestellung 454 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUM90142E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUM90142E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 314 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SUM90142E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 90A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 375W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUM90142E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 100 V |
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| SUM90142E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 90A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 375W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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