SUP40010EL-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11155 pF @ 30 V
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 6+ | 3.26 EUR |
| 50+ | 2.57 EUR |
| 100+ | 2.21 EUR |
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Technische Details SUP40010EL-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUP40010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00147 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00147ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SUP40010EL-GE3 nach Preis ab 2.43 EUR bis 5.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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SUP40010EL-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs TO-220 |
auf Bestellung 764 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUP40010EL-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP40010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00147 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00147ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 889 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUP40010EL-GE3 Produktcode: 175887
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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SUP40010EL-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUP40010EL-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| SUP40010EL-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SUP40010EL-GE3 THT N channel transistors |
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