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SUP40010EL-GE3

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Produktcode: 175887
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SUP40010EL-GE3 SUP40010EL-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sup40010el.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11155 pF @ 30 V
auf Bestellung 103 Stücke:
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50+2.57 EUR
100+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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SUP40010EL-GE3 SUP40010EL-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sup40010el.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs TO-220
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10+3.27 EUR
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1000+2.43 EUR
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SUP40010EL-GE3 SUP40010EL-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002473312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUP40010EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SUP40010EL-GE3 SUP40010EL-GE3 Hersteller : Vishay sup40010el.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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