| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.33 EUR |
| 10+ | 4.77 EUR |
| 100+ | 3.75 EUR |
| 500+ | 3.14 EUR |
| 1000+ | 2.48 EUR |
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Technische Details SUP50020E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SUP50020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 375W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm.
Weitere Produktangebote SUP50020E-GE3 nach Preis ab 3.32 EUR bis 9.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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SUP50020E-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SUP50020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 375W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm |
auf Bestellung 909 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUP50020E-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB |
auf Bestellung 345 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SUP50020E-GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUP50020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
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Description: VISHAY - SUP50020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
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Produktpalette: TrenchFET
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 27+ | 9.47 EUR |
| 41+ | 5.74 EUR |
| 100+ | 3.94 EUR |
| 500+ | 3.32 EUR |
| SUP50020E-GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)