auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.72 EUR |
| 10+ | 3.96 EUR |
| 25+ | 3.45 EUR |
| 100+ | 3.2 EUR |
| 250+ | 3.03 EUR |
| 500+ | 2.46 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SUP50020E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SUP50020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SUP50020E-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP50020E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SUP50020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 922 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
SUP50020E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB |
auf Bestellung 345 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
| SUP50020E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
 |
SUP50020E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
SUP50020E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| SUP50020E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 120A; Idm: 300A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 128nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
Produkt ist nicht verfügbar |