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SUP50020EL-GE3

SUP50020EL-GE3 Vishay / Siliconix

sup50020el.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V Vds 20V Vgs TO-220
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Technische Details SUP50020EL-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SUP50020EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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SUP50020EL-GE3 SUP50020EL-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001469732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUP50020EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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SUP50020EL-GE3 SUP50020EL-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001469732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUP50020EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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SUP50020EL-GE3 SUP50020EL-GE3 Hersteller : Vishay sup50020el.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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