SUP60030E-GE3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.54 EUR |
| 10+ | 4.00 EUR |
| 25+ | 3.48 EUR |
| 100+ | 3.10 EUR |
| 250+ | 2.85 EUR |
| 500+ | 2.43 EUR |
| 1000+ | 2.41 EUR |
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Technische Details SUP60030E-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SUP60030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0028 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SUP60030E-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SUP60030E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SUP60030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0028 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: To Be Advised |
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SUP60030E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP60030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0028 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUP60030E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUP60030E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUP60030E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SUP60030E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SUP60030E-GE3 THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUP60030E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V |
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