SUP60061EL-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TO-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V
auf Bestellung 150 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3+ | 5.91 EUR |
| 100+ | 5.02 EUR |
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Technische Details SUP60061EL-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SUP60061EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0048 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SUP60061EL-GE3 nach Preis ab 5.72 EUR bis 8.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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SUP60061EL-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET P-CHANNEL 80-V (D-S) |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SUP60061EL-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP60061EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0048 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 898 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SUP60061EL-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUP60061EL-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |