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Technische Details SUP60061EL-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SUP60061EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0048 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SUP60061EL-GE3 nach Preis ab 3.13 EUR bis 8.06 EUR
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SUP60061EL-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TO-2Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V |
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SUP60061EL-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP60061EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0048 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
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SUP60061EL-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk |
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| SUP60061EL-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk |
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SUP60061EL-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk |
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