SUP70040E-GE3 Vishay Semiconductors
auf Bestellung 852 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.39 EUR |
| 10+ | 4.01 EUR |
| 100+ | 2.83 EUR |
| 500+ | 2.55 EUR |
| 1000+ | 2.16 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SUP70040E-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SUP70040E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote SUP70040E-GE3 nach Preis ab 2.89 EUR bis 5.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SUP70040E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220ABPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V |
auf Bestellung 277 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
SUP70040E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP70040E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1288 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
 |
SUP70040E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
|
|
SUP70040E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
 |
SUP70040E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
| SUP70040E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
Produkt ist nicht verfügbar |