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SUP70060E-GE3

SUP70060E-GE3 Vishay Siliconix

sup70060e.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 131A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
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Technische Details SUP70060E-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SUP70060E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 5800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 131A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 200W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm.

Weitere Produktangebote SUP70060E-GE3 nach Preis ab 2.11 EUR bis 4.56 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
SUP70060E-GE3 SUP70060E-GE3 Vishay / Siliconix sup70060e.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs TO-220
auf Bestellung 1000 Stücke:
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SUP70060E-GE3 SUP70060E-GE3 VISHAY VISH-S-A0002473333-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUP70060E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 5800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Dauer-Drainstrom Id: 131A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
auf Bestellung 1253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SUP70060E-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs TO-220
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SUP70060E-GE3 VISH-S-A0002473333-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUP70060E-GE3
Hersteller: VISHAY
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Bauform - Transistor: TO-220AB
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
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