SUP70101EL-GE3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.3 EUR |
| 10+ | 6.02 EUR |
| 25+ | 4.01 EUR |
| 100+ | 3.24 EUR |
| 500+ | 2.94 EUR |
| 1000+ | 2.73 EUR |
| 2500+ | 2.68 EUR |
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Technische Details SUP70101EL-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V.
Weitere Produktangebote SUP70101EL-GE3 nach Preis ab 2.77 EUR bis 4.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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| SUP70101EL-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 SUP70101EL-GE3 THT P channel transistors |
auf Bestellung 476 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SUP70101EL-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUP70101EL-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUP70101EL-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V |
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