SUP80090E-GE3 Vishay Semiconductors
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| 10+ | 4.17 EUR |
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| 100+ | 3.06 EUR |
| 500+ | 2.57 EUR |
| 1000+ | 2.46 EUR |
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Technische Details SUP80090E-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SUP80090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 0.0078 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 128A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm.
Weitere Produktangebote SUP80090E-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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SUP80090E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SUP80090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 0.0078 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 128A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm |
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SUP80090E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUP80090E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUP80090E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 74A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 74A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SUP80090E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V |
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SUP80090E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 74A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 74A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: TrenchFET® |
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