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SUP80090E-GE3

SUP80090E-GE3 Vishay Semiconductors

sup80090e.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs 150V Vds 20V Vgs TO-220
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Technische Details SUP80090E-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SUP80090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 0.0078 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 128A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SUP80090E-GE3 SUP80090E-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sup80090e.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3425 pF @ 75 V
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500+2.28 EUR
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SUP80090E-GE3 SUP80090E-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001814228-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUP80090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 0.0078 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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SUP80090E-GE3 SUP80090E-GE3 Hersteller : Vishay sup80090e.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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SUP80090E-GE3 SUP80090E-GE3 Hersteller : Vishay sup80090e.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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SUP80090E-GE3 Hersteller : VISHAY sup80090e.pdf SUP80090E-GE3 THT N channel transistors
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