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SUP85N10-10-E3

SUP85N10-10-E3 Vishay

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Technische Details SUP85N10-10-E3 Vishay

Description: VISHAY - SUP85N10-10-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.012 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 250W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SUP85N10-10-E3 SUP85N10-10-E3 Vishay supsub85.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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SUP85N10-10-E3 SUP85N10-10-E3 Vishay Semiconductors supsub85.pdf MOSFETs TO220 100V 85A N-CH MOSFET
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SUP85N10-10-E3 SUP85N10-10-E3 Vishay Siliconix supsub85.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V
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SUP85N10-10-E3 SUP85N10-10-E3 VISHAY VISH-S-A0001121475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUP85N10-10-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.012 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
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SUP85N10-10-E3 SUP85N10-10-E3 VISHAY SUP85N10-10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; 250W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 250W
Gate charge: 105nC
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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AnzahlPrivatkunde
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Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 316 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
22+8.34 EUR
25+7.12 EUR
50+6.89 EUR
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 85A N-CH MOSFET
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1+8.98 EUR
10+4.65 EUR
100+4.24 EUR
500+3.56 EUR
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V
auf Bestellung 2522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+9.17 EUR
10+6.07 EUR
50+4.74 EUR
100+4.31 EUR
500+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SUP85N10-10-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.012 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
auf Bestellung 500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
23+10.95 EUR
44+5.36 EUR
100+4.5 EUR
500+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; 250W
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 250W
Gate charge: 105nC
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