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SUP85N10-10-E3

SUP85N10-10-E3 Vishay

supsub85.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Technische Details SUP85N10-10-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V.

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SUP85N10-10-E3 SUP85N10-10-E3 Hersteller : Vishay supsub85.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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SUP85N10-10-E3 SUP85N10-10-E3 Hersteller : Vishay Semiconductors SUP%2CSUB85N10-10.pdf MOSFETs TO220 100V 85A N-CH MOSFET
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SUP85N10-10-E3 SUP85N10-10-E3 Hersteller : Vishay Siliconix SUP%2CSUB85N10-10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6550 pF @ 25 V
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SUP85N10-10-E3 Hersteller : VISHAY SUP%2CSUB85N10-10.pdf SUP85N10-10-E3 THT N channel transistors
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