SUP90142E-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31200 pF @ 100 V
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 3+ | 6.34 EUR |
| 50+ | 3.24 EUR |
| 100+ | 2.95 EUR |
| 500+ | 2.42 EUR |
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Technische Details SUP90142E-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31200 pF @ 100 V.
Weitere Produktangebote SUP90142E-GE3 nach Preis ab 2.69 EUR bis 6.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SUP90142E-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-220AB |
auf Bestellung 37769 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SUP90142E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUP90142E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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SUP90142E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUP90142E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SUP90142E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 90 A, 0.0126 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 90 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: ThunderFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0126 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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| SUP90142E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 90A; Idm: 240A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 90A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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