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Technische Details SUP90220E-GE3 Vishay / Siliconix
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 64A; Idm: 100A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 64A, Pulsed drain current: 100A, Power dissipation: 230W, Case: TO220AB, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 23.5mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 48nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SUP90220E-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SUP90220E-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUP90220E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SUP90220E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 64A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 64A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SUP90220E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 64A TO220AB |
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| SUP90220E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 64A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 64A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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