| Anzahl | Preis |
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| 57+ | 2.54 EUR |
| 67+ | 2.1 EUR |
| 100+ | 1.75 EUR |
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Technische Details SUP90220E-GE3 Vishay
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 64A; Idm: 100A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 64A, Power dissipation: 230W, Case: TO220AB, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 23.5mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 48nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 100A.
Weitere Produktangebote SUP90220E-GE3 nach Preis ab 1.97 EUR bis 5.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SUP90220E-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SUP90220E-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-220AB |
auf Bestellung 388 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SUP90220E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 200V 64A TO220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SUP90220E-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 64A TO220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SUP90220E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 64A; Idm: 100A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 64A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 100A |
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