Produkte > VISHAY SILICONIX > SUP90330E-GE3
SUP90330E-GE3

SUP90330E-GE3 Vishay Siliconix

sup90330e.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+2.59 EUR
10+ 2.11 EUR
100+ 1.64 EUR
500+ 1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SUP90330E-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 12.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 100 V.

Weitere Produktangebote SUP90330E-GE3 nach Preis ab 1.03 EUR bis 2.69 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SUP90330E-GE3 SUP90330E-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sup90330e.pdf MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 4145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+2.69 EUR
10+ 2.2 EUR
100+ 1.72 EUR
500+ 1.45 EUR
1000+ 1.15 EUR
2500+ 1.11 EUR
5000+ 1.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SUP90330E-GE3 SUP90330E-GE3 Hersteller : Vishay sup90330e.pdf N-Channel 200 V (D-S) 175 C MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
SUP90330E-GE3 SUP90330E-GE3 Hersteller : Vishay sup90330e.pdf N-Channel 200 V (D-S) 175 °C MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
SUP90330E-GE3 Hersteller : VISHAY sup90330e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SUP90330E-GE3 Hersteller : VISHAY sup90330e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar