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Technische Details T1G4020036-FS Qorvo
Description: DC TO 3.5GHZ, 50V, 2 X 200 W GAN, Technology: HEMT, Gain: 18.1dB, Power - Output: 200W, Configuration: N-Channel, Frequency: 3.5GHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: NI-650, Packaging: Tray, Current - Test: 520 mA, Voltage - Test: 55 V, Voltage - Rated: 145 V, Supplier Device Package: NI-650.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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T1G4020036-FS | Qorvo |
 Description: DC TO 3.5GHZ, 50V, 2 X 200 W GANTechnology: HEMT Gain: 18.1dB Power - Output: 200W Configuration: N-Channel Frequency: 3.5GHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: NI-650 Packaging: Tray Current - Test: 520 mA Voltage - Test: 55 V Voltage - Rated: 145 V Supplier Device Package: NI-650 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| T1G4020036-FS |
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Hersteller: Qorvo
Description: DC TO 3.5GHZ, 50V, 2 X 200 W GAN
Technology: HEMT
Gain: 18.1dB
Power - Output: 200W
Configuration: N-Channel
Frequency: 3.5GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: NI-650
Packaging: Tray
Current - Test: 520 mA
Voltage - Test: 55 V
Voltage - Rated: 145 V
Supplier Device Package: NI-650
Description: DC TO 3.5GHZ, 50V, 2 X 200 W GAN
Technology: HEMT
Gain: 18.1dB
Power - Output: 200W
Configuration: N-Channel
Frequency: 3.5GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: NI-650
Packaging: Tray
Current - Test: 520 mA
Voltage - Test: 55 V
Voltage - Rated: 145 V
Supplier Device Package: NI-650
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