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TBC847B,LM(T

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TBC847_datasheet_en_20160801-1001802.pdf
Produktcode: 182455
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Hersteller:
Transitfrequenz fT: 100 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 60 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,15 А
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TBC847B,LM(T TBC847B,LM(T TOSHIBA 4249059.pdf Description: TOSHIBA - TBC847B,LM(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 320 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 320mW
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
776+0.32 EUR
1170+0.2 EUR
2075+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 776 Stücke
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TBC847B,LM(T TBC847B,LM(T TOSHIBA 4249059.pdf Description: TOSHIBA - TBC847B,LM(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 320 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 320mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TBC847B,LM(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TBC847B,LM(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 320 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 320mW
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
776+0.32 EUR
1170+0.2 EUR
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TBC847B,LM(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TBC847B,LM(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 320 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 320mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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