TBC847B,LM(T


TBC847_datasheet_en_20160801-1001802.pdf
Produktcode: 182455
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Hersteller:
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,15 A
Montage: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TBC847B,LM(T TBC847B,LM(T Toshiba 3533docget.jspdid53738prodnametbc847.jspdid53738prodnametbc847.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 320mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1752+0.1 EUR
2160+0.08 EUR
2660+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 1752 Stücke
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TBC847B,LM(T TBC847B,LM(T TOSHIBA 4249059.pdf Description: TOSHIBA - TBC847B,LM(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 320 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 320mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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TBC847B,LM(T TBC847B,LM(T TOSHIBA 4249059.pdf Description: TOSHIBA - TBC847B,LM(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 320 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 320mW
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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TBC847B,LM(T 3533docget.jspdid53738prodnametbc847.jspdid53738prodnametbc847.pdf
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 320mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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TBC847B,LM(T 4249059.pdf
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TBC847B,LM(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 320 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 320mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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TBC847B,LM(T 4249059.pdf
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TBC847B,LM(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 320 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 320mW
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2885 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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