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TBC857B,LM

TBC857B,LM Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=53599&prodName=TBC857
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 0.15A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 100mA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 30nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
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Technische Details TBC857B,LM Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PNP 50V 0.15A SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 100mA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 30nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 320 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TBC857B,LM TBC857B,LM Toshiba EBE9B919D55E3232773EED939B0EA82000DC4572EEA3438AD5B13E3B971A79F2.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT PNP -0.15A -50V
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21+0.17 EUR
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500+0.071 EUR
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3000+0.05 EUR
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TBC857B,LM TBC857B,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53599&prodName=TBC857 Description: TRANS PNP 50V 0.15A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 100mA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 30nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
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122+0.17 EUR
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TBC857B,LM EBE9B919D55E3232773EED939B0EA82000DC4572EEA3438AD5B13E3B971A79F2.pdf
TBC857B,LM
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT BJT PNP -0.15A -50V
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Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 100mA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 30nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 320 mW
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