TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba Memory
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Technische Details TC58NYG0S3HBAI6 Toshiba Memory
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 67-VFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 1Gbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Technology: FLASH - NAND (SLC), Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 67-VFBGA (6.5x8), Write Cycle Time - Word, Page: 25ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 25 ns, Memory Organization: 128M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Weitere Produktangebote TC58NYG0S3HBAI6
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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TC58NYG0S3HBAI6 | Hersteller : Kioxia America, Inc. |
 Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGAPackaging: Tray Package / Case: 67-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: FLASH - NAND (SLC) Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 67-VFBGA (6.5x8) Write Cycle Time - Word, Page: 25ns Memory Interface: Parallel Access Time: 25 ns Memory Organization: 128M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
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TC58NYG0S3HBAI6 | Hersteller : Kioxia America |
NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM) |
Produkt ist nicht verfügbar |