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TC58NYG1S3HBAI4

TC58NYG1S3HBAI4 Toshiba Memory

docget.jsp?did=14850&prodname=tc58nyg1s3hbai4 Hersteller: Toshiba Memory
NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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Technische Details TC58NYG1S3HBAI4 Toshiba Memory

Description: IC FLASH 2GBIT 63TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 63-VFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 2Gbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Technology: FLASH - NAND (SLC), Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 63-TFBGA (9x11), Write Cycle Time - Word, Page: 25ns, Memory Organization: 256M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TC58NYG1S3HBAI4 TC58NYG1S3HBAI4 Hersteller : Kioxia America, Inc. KIOXIA_TC58NYG1S3HBAI4_Rev2.00_E191001C.pdf Description: IC FLASH 2GBIT 63TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 63-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 63-TFBGA (9x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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