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TC58NYG1S3HBAI4

TC58NYG1S3HBAI4 Kioxia America

kioxiaamericainc_tosc_s_a0002810421_1-1991597.pdf
Hersteller: Kioxia America
NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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Technische Details TC58NYG1S3HBAI4 Kioxia America

Description: IC FLASH 2GBIT 63TFBGA, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 256M x 8, Write Cycle Time - Word, Page: 25ns, Supplier Device Package: 63-TFBGA (9x11), Memory Format: FLASH, Technology: FLASH - NAND (SLC), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 2Gbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 63-VFBGA, Packaging: Tray.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TC58NYG1S3HBAI4 TC58NYG1S3HBAI4 Kioxia America, Inc. KIOXIA_TC58NYG1S3HBAI4_Rev2.00_E191001C.pdf Description: IC FLASH 2GBIT 63TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256M x 8
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Supplier Device Package: 63-TFBGA (9x11)
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 2Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 63-VFBGA
Packaging: Tray
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TC58NYG1S3HBAI4 KIOXIA_TC58NYG1S3HBAI4_Rev2.00_E191001C.pdf
TC58NYG1S3HBAI4
Hersteller: Kioxia America, Inc.
Description: IC FLASH 2GBIT 63TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256M x 8
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Supplier Device Package: 63-TFBGA (9x11)
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 2Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 63-VFBGA
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