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TC6320TG-G

TC6320TG-G Microchip Technology

annel-enhancement-mode-mosfet-pair-data-sheet-ds20005697.pdf Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 736 Stücke:
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Anzahl Preis
63+2.33 EUR
64+2.24 EUR
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Technische Details TC6320TG-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TC6320TG-G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 200 V, 200 V, 7 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 200V, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7ohm, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 200V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: NSOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TC6320TG-G TC6320TG-G Hersteller : Microchip Technology annel-enhancement-mode-mosfet-pair-data-sheet-ds20005697.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R
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TC6320TG-G TC6320TG-G Hersteller : Microchip Technology 20005697A.pdf Description: MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V, 125pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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TC6320TG-G TC6320TG-G Hersteller : Microchip Technology TC6320_N_Channel_and_P_Channel_Enhancement_Mode_MO-3499717.pdf MOSFETs 200V 8.0/7.0Ohm
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TC6320TG-G TC6320TG-G Hersteller : MICROCHIP 3045888.pdf Description: MICROCHIP - TC6320TG-G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 200 V, 200 V, 7 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 200V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 200V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2700 Stücke:
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TC6320TG-G TC6320TG-G Hersteller : MICROCHIP 3045888.pdf Description: MICROCHIP - TC6320TG-G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 200 V, 200 V, 7 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 200V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 200V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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TC6320TG-G TC6320TG-G Hersteller : Microchip Technology 218tc6320.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R
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TC6320TG-G TC6320TG-G Hersteller : Microchip Technology 218tc6320.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R
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TC6320TG-G TC6320TG-G Hersteller : Microchip Technology 20005697A.pdf Description: MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V, 125pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
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