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TC6320TG-G

TC6320TG-G Microchip Technology

TC6320-N-Channel-and-P-Channel-Enhancement-Mode-MOSFET-Pair-Data-Sheet-DS20005697.pdf
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V, 125pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 3300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3300+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3300 Stücke
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Technische Details TC6320TG-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - TC6320TG-G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 200 V, 200 V, 7 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 200V, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7ohm, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 200V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: NSOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote TC6320TG-G nach Preis ab 2.27 EUR bis 4 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TC6320TG-G TC6320TG-G MICROCHIP 3045888.pdf Description: MICROCHIP - TC6320TG-G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 200 V, 200 V, 7 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 200V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 200V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
3300+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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TC6320TG-G TC6320TG-G Microchip Technology annel-enhancement-mode-mosfet-pair-data-sheet-ds20005697.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+2.88 EUR
500+2.8 EUR
1000+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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TC6320TG-G TC6320TG-G Microchip Technology annel-enhancement-mode-mosfet-pair-data-sheet-ds20005697.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+3 EUR
60+2.84 EUR
61+2.69 EUR
100+2.55 EUR
250+2.4 EUR
500+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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TC6320TG-G TC6320TG-G Microchip Technology annel-enhancement-mode-mosfet-pair-data-sheet-ds20005697.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+3 EUR
60+2.9 EUR
61+2.8 EUR
100+2.69 EUR
250+2.61 EUR
500+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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TC6320TG-G TC6320TG-G Microchip Technology TC6320-N-Channel-and-P-Channel-Enhancement-Mode-MOSFET-Pair-Data-Sheet-DS20005697.pdf MOSFETs 200V 8.0/7.0Ohm
auf Bestellung 4100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.27 EUR
25+2.7 EUR
100+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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TC6320TG-G TC6320TG-G Microchip Technology TC6320-N-Channel-and-P-Channel-Enhancement-Mode-MOSFET-Pair-Data-Sheet-DS20005697.pdf Description: MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V, 125pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 5717 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.27 EUR
25+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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TC6320TG-G TC6320TG-G MICROCHIP 3045888.pdf Description: MICROCHIP - TC6320TG-G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 200 V, 200 V, 7 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 200V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 200V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+4 EUR
76+3.08 EUR
100+2.57 EUR
3300+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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TC6320TG-G 3045888.pdf
TC6320TG-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TC6320TG-G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 200 V, 200 V, 7 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 200V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 200V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.57 EUR
3300+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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TC6320TG-G annel-enhancement-mode-mosfet-pair-data-sheet-ds20005697.pdf
TC6320TG-G
Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
250+2.88 EUR
500+2.8 EUR
1000+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+3 EUR
60+2.84 EUR
61+2.69 EUR
100+2.55 EUR
250+2.4 EUR
500+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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Hersteller: Microchip Technology
Trans MOSFET N/P-CH Si 200V 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+3 EUR
60+2.9 EUR
61+2.8 EUR
100+2.69 EUR
250+2.61 EUR
500+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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25+2.7 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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TC6320TG-G
Hersteller: Microchip Technology
Description: MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 25V, 125pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 5717 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.27 EUR
25+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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TC6320TG-G
Hersteller: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - TC6320TG-G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 200 V, 200 V, 7 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 200V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 200V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
63+4 EUR
76+3.08 EUR
100+2.57 EUR
3300+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH