TD210N12KOF Infineon Technologies


DS_TT210N_3_1-273961.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules 1200V 410A
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+374.23 EUR
6+366.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details TD210N12KOF Infineon Technologies

Category: Diode - thyristor modules, Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.65V, Max. forward impulse current: 6.6kA, Gate current: 200mA, Max. forward voltage: 1.65V, Type of semiconductor module: diode-thyristor, Mechanical mounting: screw, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: screw, Load current: 210A, Max. load current: 410A, Semiconductor structure: double series, Case: BG-PB50-1.

Weitere Produktangebote TD210N12KOF

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TD210N12KOF Infineon SCR MODULE 1800V 410A MODULE Силові діоди, тиристори, діод-тиристорні модулі
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD210N12KOF TD210N12KOF INFINEON TECHNOLOGIES TD210N12KOF.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.65V
Max. forward impulse current: 6.6kA
Gate current: 200mA
Max. forward voltage: 1.65V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Load current: 210A
Max. load current: 410A
Semiconductor structure: double series
Case: BG-PB50-1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD210N12KOF
Hersteller: Infineon
SCR MODULE 1800V 410A MODULE Силові діоди, тиристори, діод-тиристорні модулі
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TD210N12KOF TD210N12KOF.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.65V
Max. forward impulse current: 6.6kA
Gate current: 200mA
Max. forward voltage: 1.65V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Load current: 210A
Max. load current: 410A
Semiconductor structure: double series
Case: BG-PB50-1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH