TD210N12KOF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 314.48 EUR |
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Technische Details TD210N12KOF Infineon Technologies
Category: Diode - thyristor modules, Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.65V, Type of semiconductor module: diode-thyristor, Semiconductor structure: double series, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 210A, Case: BG-PB50-1, Max. forward voltage: 1.65V, Max. forward impulse current: 6.6kA, Gate current: 200mA, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Max. load current: 410A.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| TD210N12KOF | Hersteller : EUPEC | 05+ |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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TD210N12KOF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: Diode - thyristor modulesDescription: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.65V Type of semiconductor module: diode-thyristor Semiconductor structure: double series Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 210A Case: BG-PB50-1 Max. forward voltage: 1.65V Max. forward impulse current: 6.6kA Gate current: 200mA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Max. load current: 410A |
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