TD210N12KOF Infineon Technologies
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 314.48 EUR |
| 6+ | 308.26 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details TD210N12KOF Infineon Technologies
Category: Diode - thyristor modules, Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.65V, Max. load current: 410A, Max. forward voltage: 1.65V, Load current: 210A, Semiconductor structure: double series, Gate current: 200mA, Max. forward impulse current: 6.6kA, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of semiconductor module: diode-thyristor, Case: BG-PB50-1, Max. off-state voltage: 1.2kV, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote TD210N12KOF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| TD210N12KOF | Hersteller : EUPEC | 05+ |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
 |
TD210N12KOF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: Diode - thyristor modulesDescription: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.65V Max. load current: 410A Max. forward voltage: 1.65V Load current: 210A Semiconductor structure: double series Gate current: 200mA Max. forward impulse current: 6.6kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: diode-thyristor Case: BG-PB50-1 Max. off-state voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
TD210N12KOF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Diode - thyristor modules Description: Module: diode-thyristor; 1.2kV; 210A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.65V Max. load current: 410A Max. forward voltage: 1.65V Load current: 210A Semiconductor structure: double series Gate current: 200mA Max. forward impulse current: 6.6kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: diode-thyristor Case: BG-PB50-1 Max. off-state voltage: 1.2kV |
Produkt ist nicht verfügbar |