TD250N18KOF Infineon Technologies


Infineon_TT250N_DataSheet_v03_06_EN-3364071.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Modules 1800V 410A
auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+302.91 EUR
12+ 278.13 EUR
27+ 269.19 EUR
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details TD250N18KOF Infineon Technologies

Category: Diode - thyristor modules, Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 250A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.5V; screw, Gate current: 200mA, Max. forward impulse current: 8kA, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: diode-thyristor, Case: BG-PB50-1, Max. off-state voltage: 1.8kV, Max. load current: 410A, Max. forward voltage: 1.5V, Load current: 250A, Semiconductor structure: double series.

Weitere Produktangebote TD250N18KOF

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
TD250N18KOF Hersteller : EUPEC 05+
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
TD250N18KOF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES TD250N18KOF Diode - thyristor modules
Produkt ist nicht verfügbar
TD250N18KOF  TD250N18KOF  Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES TD250N18KOF.pdf Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 250A; BG-PB50-1; Ufmax: 1.5V; screw
Gate current: 200mA
Max. forward impulse current: 8kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode-thyristor
Case: BG-PB50-1
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. load current: 410A
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 250A
Semiconductor structure: double series
Produkt ist nicht verfügbar