Technische Details TGI8596-50 ??
Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR GAN HEMT INTERNALLY MATCHED, 8.5 - 9.6 GHz, 50W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| TGI8596-50 |
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| TGI-8596-50 | Hersteller : Toshiba |
 Trans RF FET 50V 15A 3-Pin Case 7-AA04A Individual |
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| TGI8596-50 | Hersteller : Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR GAN HEMT INTERNALLY MATCHED, 8.5 - 9.6 GHz, 50W |
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