TJ15S10M3,LQ(O TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TJ15S10M3,LQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
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usEccn: EAR99
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Technische Details TJ15S10M3,LQ(O TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TJ15S10M3,LQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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Preis |
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TJ15S10M3,LQ(O | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TJ15S10M3,LQ(O - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TJ15S10M3,LQ(O | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET P-CH Si 100V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R |
auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TJ15S10M3,LQ(O | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 100V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R |
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