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TJ30S06M3L,LXHQ(O Toshiba

tj30s06m3l_datasheet_en_20200624.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
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Technische Details TJ30S06M3L,LXHQ(O Toshiba

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 68W; DPAK; ESD, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -30A, Power dissipation: 68W, Case: DPAK, Gate-source voltage: -20...10V, On-state resistance: 16.8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 80nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TJ30S06M3L,LXHQ(O TJ30S06M3L,LXHQ(O Hersteller : TOSHIBA TJ30S06M3L.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; 68W; DPAK; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -30A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Gate-source voltage: -20...10V
On-state resistance: 16.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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