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TJ60S04M3L(T6L1,NQ

TJ60S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=11301&prodName=TJ60S04M3L
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 10 V
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Technische Details TJ60S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 40V 60A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: DPAK+, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 10 V.

Weitere Produktangebote TJ60S04M3L(T6L1,NQ nach Preis ab 1.05 EUR bis 3.81 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TJ60S04M3L(T6L1,NQ TJ60S04M3L(T6L1,NQ Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
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TJ60S04M3L(T6L1,NQ TJ60S04M3L(T6L1,NQ Toshiba 81CEA085CDAA72CE7AC609D7771D25F7B54D6C3989C886661FB112E1C97AEBE2.pdf MOSFETs P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
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TJ60S04M3L(T6L1,NQ TJ60S04M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11301&prodName=TJ60S04M3L Description: MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 10 V
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TJ60S04M3L(T6L1,NQ TJ60S04M3L(T6L1,NQ Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 40V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
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MOSFETs P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063
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TJ60S04M3L(T6L1,NQ
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 10 V
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Trans MOSFET P-CH Si 40V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
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