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TJ60S06M3L(T6L1,NQ

TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba

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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba

Description: TOSHIBA - TJ60S06M3L(T6L1,NQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 1120 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
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TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
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TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11303&prodName=TJ60S06M3L Description: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7760 pF @ 10 V
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TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ Toshiba 83243C3741ADCCC56A0E7ED82520A0E17AE80A3DFA4981362634C2860DB7F3D7.pdf MOSFETs P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112
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TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ TOSHIBA docget.jsp?did=11303&prodName=TJ60S06M3L Description: TOSHIBA - TJ60S06M3L(T6L1,NQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 1120 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1022 Stücke:
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TJ60S06M3L(T6L1,NQ TJ60S06M3L(T6L1,NQ TOSHIBA docget.jsp?did=11303&prodName=TJ60S06M3L Description: TOSHIBA - TJ60S06M3L(T6L1,NQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 1120 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Description: MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7760 pF @ 10 V
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TJ60S06M3L(T6L1,NQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 1120 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TJ60S06M3L(T6L1,NQ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 1120 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
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