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TK100A06N1,S4X(S

TK100A06N1,S4X(S TOSHIBA


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB78D74188838BF&compId=TK100A06N1.pdf?ci_sign=152c6dd9899380047f93b0c8e9aaf75f78ac36eb Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 263A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 263A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 506 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.32 EUR
35+2.07 EUR
36+2 EUR
40+1.83 EUR
50+1.82 EUR
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Technische Details TK100A06N1,S4X(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK100A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0022 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 263A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote TK100A06N1,S4X(S nach Preis ab 1.82 EUR bis 5.77 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TK100A06N1,S4X(S TK100A06N1,S4X(S Hersteller : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB78D74188838BF&compId=TK100A06N1.pdf?ci_sign=152c6dd9899380047f93b0c8e9aaf75f78ac36eb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 263A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 263A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Anzahl Preis
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TK100A06N1,S4X(S TK100A06N1,S4X(S Hersteller : Toshiba 2tk100a06n1_datasheet_en_20140107.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 50 Stücke:
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Anzahl Preis
25+5.77 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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TK100A06N1,S4X(S TK100A06N1,S4X(S Hersteller : TOSHIBA 3934610.pdf Description: TOSHIBA - TK100A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0022 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK100A06N1,S4X(S TK100A06N1,S4X(S Hersteller : Toshiba 2tk100a06n1_datasheet_en_20140107.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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