TK100A06N1,S4X(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 263A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 263A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Power dissipation: 45W
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 31+ | 2.32 EUR |
| 32+ | 2.23 EUR |
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Technische Details TK100A06N1,S4X(S TOSHIBA
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 263A; 45W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 263A, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.7mΩ, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 0.14µC, Power dissipation: 45W.
Weitere Produktangebote TK100A06N1,S4X(S nach Preis ab 2.44 EUR bis 2.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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TK100A06N1,S4X(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK100A06N1,S4X(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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