TK100A08N1,S4X(S Toshiba
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 68+ | 2.32 EUR |
| 73+ | 2.07 EUR |
| 100+ | 1.94 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details TK100A08N1,S4X(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK100A08N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 214 A, 0.0026 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 214A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote TK100A08N1,S4X(S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK100A08N1,S4X(S | Hersteller : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - TK100A08N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 214 A, 0.0026 ohm, TO-220SIS, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 214A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
TK100A08N1,S4X(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
Produkt ist nicht verfügbar |