TK100A10N1,S4X(S Toshiba
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
24+ | 6.72 EUR |
26+ | 5.91 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details TK100A10N1,S4X(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK100A10N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 207 A, 0.0031 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 207A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220SIS, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote TK100A10N1,S4X(S
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
TK100A10N1,S4X(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK100A10N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 207 A, 0.0031 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 207A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
TK100A10N1,S4X(S | Hersteller : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine |
Produkt ist nicht verfügbar |