TK100E06N1,S1X(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK100E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 1900 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: To Be Advised
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details TK100E06N1,S1X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK100E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 1900 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 263A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote TK100E06N1,S1X(S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
TK100E06N1,S1X(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
auf Bestellung 91 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
TK100E06N1,S1X(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 255W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO220AB Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 0.14µC Kind of channel: enhancement On-state resistance: 2.3mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 255W Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A |
Produkt ist nicht verfügbar |