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TK100E06N1,S1X(S

TK100E06N1,S1X(S Toshiba

1540docget.jsplangenpidtk100e06n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e06n1.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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Technische Details TK100E06N1,S1X(S Toshiba

Description: TOSHIBA - TK100E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0019 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 263A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TK100E06N1,S1X(S TK100E06N1,S1X(S Hersteller : TOSHIBA 3934613.pdf Description: TOSHIBA - TK100E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0019 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 263A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: To Be Advised
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