TK100E06N1,S1X(S Toshiba
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Technische Details TK100E06N1,S1X(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK100E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0019 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 263A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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TK100E06N1,S1X(S | Hersteller : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - TK100E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 263 A, 0.0019 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 263A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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TK100E06N1,S1X(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
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TK100E06N1,S1X(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 263A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK100E06N1,S1X(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 255W; TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 255W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 0.14µC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TK100E06N1,S1X(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 255W; TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO220AB Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 255W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 0.14µC |
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