Weitere Produktangebote TK100E08N1,S1X nach Preis ab 3.85 EUR bis 9.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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TK100E08N1,S1X | Hersteller : Toshiba |
 MOSFETs 80V N-Ch PWR FET 9000pF 130nC 214A |
auf Bestellung 161 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TK100E08N1,S1X | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 40 V |
auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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TK100E08N1,S1X | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 80V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| TK100E08N1,S1X | Hersteller : Toshiba |
MOSFET N-CH 80V 100A TO220 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |