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TK100E10N1,S1X(S

TK100E10N1,S1X(S TOSHIBA

TK100E10N1.pdf Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 2.8mΩ
Power dissipation: 255W
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 552 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.65 EUR
31+2.37 EUR
35+2.1 EUR
50+1.89 EUR
250+1.79 EUR
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Technische Details TK100E10N1,S1X(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TK100E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 207 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 207A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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TK100E10N1,S1X(S TK100E10N1,S1X(S Hersteller : TOSHIBA TK100E10N1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 2.8mΩ
Power dissipation: 255W
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
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TK100E10N1,S1X(S TK100E10N1,S1X(S Hersteller : Toshiba 1556docget.jsplangenpidtk100e10n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e10n1.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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Anzahl Preis
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Mindestbestellmenge: 28
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TK100E10N1,S1X(S TK100E10N1,S1X(S Hersteller : TOSHIBA 3934615.pdf Description: TOSHIBA - TK100E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 207 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 207A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: To Be Advised
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TK100E10N1,S1X(S TK100E10N1,S1X(S Hersteller : Toshiba 1556docget.jsplangenpidtk100e10n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e10n1.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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TK100E10N1,S1X(S
Produktcode: 199160
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