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TK100E10N1,S1X(S

Produktcode: 199160
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
TK100E10N1,S1X(S TK100E10N1,S1X(S TOSHIBA TK100E10N1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+3.15 EUR
31+2.82 EUR
35+2.5 EUR
50+2.25 EUR
250+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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TK100E10N1,S1X(S TK100E10N1,S1X(S Toshiba 1556docget.jsplangenpidtk100e10n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e10n1.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 2250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
750+3.43 EUR
1000+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 750 Stücke
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auf Bestellung 2950 Stücke:
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2500+2.48 EUR
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TK100E10N1,S1X(S TK100E10N1,S1X(S Toshiba 1556docget.jsplangenpidtk100e10n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e10n1.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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TK100E10N1,S1X(S TK100E10N1,S1X(S TOSHIBA Description: TOSHIBA - TK100E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 207 A, 2800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 207A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 255W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 592 Stücke:
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TK100E10N1,S1X(S
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 255W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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TK100E10N1,S1X(S
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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TK100E10N1,S1X(S
TK100E10N1,S1X(S
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK100E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 207 A, 2800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 207A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 255W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
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