Weitere Produktangebote TK100E10N1,S1X(S nach Preis ab 1.79 EUR bis 3.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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TK100E10N1,S1X(S | Hersteller : TOSHIBA |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 255W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 255W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.14µC On-state resistance: 2.8mΩ Drain current: 100A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 611 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK100E10N1,S1X(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
auf Bestellung 2250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK100E10N1,S1X(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK100E10N1,S1X(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK100E10N1,S1X(S | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK100E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 207 A, 2800 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 207A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 652 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |