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TK100E10N1,S1X

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Produktcode: 175741
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Transistoren > MOSFET N-CH

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TK100E10N1,S1X TK100E10N1,S1X Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=12867&prodName=TK100E10N1 Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V
auf Bestellung 2012 Stücke:
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Anzahl Preis
2+9.24 EUR
50+4.87 EUR
100+4.45 EUR
500+3.71 EUR
1000+3.47 EUR
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TK100E10N1,S1X TK100E10N1,S1X Hersteller : Toshiba EB0DC3BBFB235830AA48A71F19B438D94B1B38EF5EC5624C3579C211B65D0476.pdf MOSFETs 100V N-Ch PWR FET 8800pF 140nC 207A
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TK100E10N1,S1X TK100E10N1,S1X Hersteller : Toshiba 1556docget.jsplangenpidtk100e10n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e10n1.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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TK100E10N1,S1X TK100E10N1,S1X Hersteller : Toshiba 1556docget.jsplangenpidtk100e10n1typedatasheet.jsplangenpidtk100e10n1.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 207A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
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TK100E10N1,S1X Hersteller : Toshiba docget.jsp?did=12867&prodName=TK100E10N1 MOSFET N-CH 100V 100A TO220 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
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