| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 39.95 EUR |
| 10+ | 36.78 EUR |
| 25+ | 33.71 EUR |
| 50+ | 30.86 EUR |
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Technische Details TK100L60W,VQ(O Toshiba
Description: TOSHIBA - TK100L60W,VQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 100 A, 0.015 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, Verlustleistung: 797W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm.
Weitere Produktangebote TK100L60W,VQ(O nach Preis ab 28.71 EUR bis 114.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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TK100L60W,VQ(O | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 600V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL |
auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK100L60W,VQ(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TK100L60W,VQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 100 A, 0.015 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 797W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK100L60W,VQ(O |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL
Trans MOSFET N-CH Si 600V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 43.22 EUR |
| 5+ | 39.4 EUR |
| 10+ | 35.7 EUR |
| 25+ | 32.19 EUR |
| 50+ | 28.71 EUR |
| TK100L60W,VQ(O |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK100L60W,VQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 100 A, 0.015 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 797W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
Description: TOSHIBA - TK100L60W,VQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 100 A, 0.015 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 797W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 114.07 EUR |
| 5+ | 89.74 EUR |
| 10+ | 71.89 EUR |
| 50+ | 57.89 EUR |