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Technische Details TK100L60W,VQ(O Toshiba
Description: TOSHIBA - TK100L60W,VQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 100 A, 0.015 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 797W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote TK100L60W,VQ(O
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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TK100L60W,VQ(O | Hersteller : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - TK100L60W,VQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 100 A, 0.015 ohm, TO-3P, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 797W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: To Be Advised |
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TK100L60W,VQ(O | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL |
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